ion implantation doping
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离子注入掺杂
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1、
Ion implantation doping of Cd_ ( 0.2) Hg_ ( 0.3) Te for infrared detectors
离子注入掺杂Cd（0.2）Hg（0.8）Te红外探测器
来源：互联网摘选 -
2、
本文讨论了高速双极器件制造中的离子注入技术。重点讨论在双极器件制造工艺中的离子注入掺杂技术，离子注入形成浅结技术，以及离子注入层的退火技术。
来源：互联网摘选
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